Совершено новое открытие в одном из аспектов наномагнетизма

0
655

Доктор Карин Чеснел всегда была заинтересована и одержима секретами магнетизма, в особенности наномагнетизмом. Как говорит сама Чеснел, “Существует еще столь много вещей и секретов вокруг магнетизма! – специалисты до сих пор прикладывают немало усилий для их изучения и постижения, не в последнюю очередь затем, чтобы узнать происхождение феномена магнетизма”. Однако сама Чеснел более заинтересована в сфере наномагнетизма и в том, какие процессы скрываются за этим делом. Для полноценного изучения феномена и секретов наномагнетизма, доктор Чеснел использовала специальные синхротронные лучевые объекты, являющиеся ускорителями элементарных частиц.

В этих устройствах магнетические и электрические поля синхронизируются с лучами частиц таким образом, чтобы производить рентгеновские снимки на различных уровнях яркости. Эти устройства уже давно показали себя более чем полезными при изучении свойств и аспектов наномагнетизма. Спустя несколько лет своих экспериментов, доктор Чеснел обнаружила способ контроля феномена под названием “магнетическая областная память”, который может пригодится в разработке более вместительных цифровых хранилищ данных.

wuyiho16

Информация сохраняется на компьютерный жесткий диск посредством использования тонкой металлической пленки, обладающей магнетическими свойствами. Чеснел обнаружила, что, когда она охлаждала эту пленку под разными уровнями магнетических полей, емкость пленки самым непосредственным образом менялась. Если пленка охлаждается при слабом или умеренном магнетическом поле, память остается устойчивой. Если увеличить мощность поля, то емкость уходит.

Доктор Карин Чеснел отзывается о своем открытии следующим образом: “Фактически, это результат нескольких лет моей работы – результаты потрясающие, ведь они указывают, что мы в действительности можем контролироваться данный процесс и более точно работать с данным аспектом наномагнетизма”. Статья о данном исследовании уже была опубликована в журнале Nature Communications.

ОСТАВЬТЕ ОТВЕТ