Создан первый сверхатомный 2D-полупроводник

0
124

Известно, что атомы являются мельчайшей частицей материи – по крайней мере, эта теория до сих пор обладает наибольшим ходом и результативностью. И это теория выражает новую ступень эволюции в изготовлении новых полупроводниковых материалов, функционирующих на основе субатомной структуры – именно такую разработку недавно представила команда исследователей из Колумбийского Университета в США. Они представили новый тип 2D полупроводника, построенного на субатомах, обладающих еще более выраженными свойствами обычных атомов, а также характеризующиеся более высокой степенью внешнего контроля со стороны биоинженерии.

Статья относительно данной разработки уже была опубликована в научном журнале Nano Letters, где ученые подробно описали процесс построения такого 2D-полупроводника и указали, по каким принципам удалось обострить его механизм работы и свойства. Команда убеждена, что представленный полупроводник, в основе которого используется материал Re6Se8Cl2, открывает путь к разработке нового семейства полупроводников такого типа, которые могли бы прекрасно функционировать в 2D-среде.

Проведя несколько предварительных испытаний и тестирований, ученые пришли к выводу о том, что использование такого проводимого материала на основе субатомных частиц является более рациональной стратегией, так как их заметно проще перепрограммировать и даже некоторым образом изменить их свойства, по сравнению с атомами – и все это благодаря более сложной и многосоставной структуре строения этих частиц.

Что касается базового материала Re6Se8Cl2, то впервые он был синтезирован еще в 1982 году, но сейчас, благодаря своим эффективным проводящим свойствам, нашел свое прочное применение в новых 2D-полупроводниках. Исследователи обнаружили, что структура данного материала такова, что она состоит не из слоев единичных атомов – как в графене – а из псевдоквадратных решеток, образованных наклонными кластерами. В данном материале, эти субатомные кластеры соединены вместе сильными ковалентными связями, но в то же время взаимодействие между слоями слабо, что позволяет облегчить процесс внешнего инжиниринга для изменения или улучшения свойств материала.

ОСТАВЬТЕ ОТВЕТ