Создан новый класс 2D-материалов с уникальными свойствами

0
220

Судя по всему, специалистами из Калифорнийского университета в Лос-Анджелесе удалось найти новый метод и новую методологию создания нового класса 2D-материалов – а именно 2D-решеток, состоящих из нескольких различных ультратонких слоев, всего в пару атомов толщиной. Но в отличие от существующих и применяющихся ныне 2D-решеток подобного типа, новый класс позволяет соединять множество слоев, каждый из которых будет обладать своим отдельным классом свойств и возможностей, что совершенно невозможно в текущих вариантах таких материалов – и это не может не удивлять!

Например, такой подход позволит значительно улучшить энергоэффективность и электрические свойства аккумуляторов или устройств, служащих в качестве проводника электрической энергии. В основе новой технологии лежит использование так называемого процесса электрохимического добавления, в котором применяется негативный вольтаж. Он позволяет создавать однослойные атомные кристаллические решетки, где каждый отдельный слой будет обладать своими собственными свойствами – например, некоторые слои могут быть проводниками, в то время как другие их “соседи” – изоляторами.

Еще одним необычным и крайне полезным достижением нового метода является то, что в улучшенных кристаллических решетках можно уместить еще большее количество слоев, таким образом избежав стандартной проблемы соприкосновения слоев друг с другом – для этого в методике работает “нейтральный” слой соединяющих атомов.

Статья с данной необычной разработкой уже была опубликована в научном журнале Nature, где специалисты из Калифорнийского Университета подробно объяснили все особенности функционирования такой сверхрешетки. В частности, руководитель проекта, Сяньфэнг Дуан, отмечает, что новый подход в создании 2D-решеток позволяет избежать необходимости применения материалов с одинаковыми свойствами и симметричной формы решеток. А это, в свою очередь, дает куда более широкий простор для экспериментов и улучшения данной технологии!

ОСТАВЬТЕ ОТВЕТ

Please enter your comment!
Please enter your name here